告别传统光源限制：国产激光等离子体技术引领宽谱光路革新

在半导体光刻、精密检测、显微成像等领域， 光源是这些应用技术链的“第一推动力”，是后续测量、加工和分析的根本前提，选择什么样的光源，直接决定了能达到的精度、速度和效果。传统光源（如氙灯、氘灯、卤钨灯）在使用中，存在三大核心短板：

①亮度不足：尤其在深紫外波段，光输出微弱。
②寿命短：普遍在数千小时内亮度衰减超过50%，需频繁更换灯管与校准。
③长期稳定性差：随着电极材料损耗，亮度持续降低与等离子空间体位置偏移影响稳定性。

三大核心短板症结在于“电致发光”机制本身。激光驱动等离子体光源采用“光致发光”原理，从根本上改善了这些问题，在亮度、光谱、稳定性及寿命上实现了跨越式提升。

通过灯泡的电极高压击穿，将氙气转化为吸收性等离子体，随后采用激光器发射连续激光聚焦在等离子体上，并稳定维持其辐射。电极的唯一作用是点火启动，一旦稳定工作后，电极即“功成身退”。与传统的氙灯相比，激光驱动等离子体光源具有辐射亮度极高、宽光谱、长寿命等显著特点，可应用在多种精密检测和计量应用。

电子、离子和中性原子之间的碰撞，光谱结构会因斯塔克效应而增宽成准连续态，输出170-2500nm的谱段。单一光源就能够覆盖需要的各种波长，极大简化了光学系统。

激光维持的等离子体温度可达20,000K，远超传统氙灯。这意味着原子激发程度更高，辐射强度显著增强，尤其是深紫外光的输出得到极大提升。

离子体发光点的尺寸与功率水平相当的传统氙灯相比大大缩小，可达μm级，直接带来更高的功率密度与更优的光学耦合效率。

如下图，传统短弧氙灯电极间隙为1-3mm；100W左右激光驱动等离子体光源，等离子体半高全宽尺寸为137x363μm。

传统短弧氙灯因电极材料持续蒸发并附着于灯泡内壁，导致透光率下降，在2000小时内光输出可衰减至初始值的50%。同时，电极烧蚀还会改变等离子体空间位置，造成光束漂移，在探测端引入噪声，因此必须定期停机校准。

激光驱动等离子体光源在稳定运行时，等离子体与电极不接触，电极损耗时间大大延长，光源寿命可达10,000小时。同时，其等离子体发光点位置由激光光学聚焦系统决定，聚焦位置固定，空间稳定性极好。
同时光源的输出功率稳定性直接依赖于激光器的温度稳定性。我们采用TEC进行精确温控，从而确保输出功率稳定性长期优于<0.3%。

PHO系列激光驱动等离子体光源，纯国产化，提供多种输出功率可选。